Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Polaritychannel Type
- NPN
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Current Collector Cutoff Max
- 50μA
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kılıf / Paket
- 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.6V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.6V @ 500μA, 350mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 25 Weeks
- Transistor Application
- SWITCHING
- Configuration
- COMPLEX
- Montaj
- Through Hole
- Terminal Sayısı
- 16
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Number Of Elements
- 7
- Ambalaj
- Tube
- Jesd30 Code
- R-PDIP-T16
- Transistor Type
- 7 NPN Darlington
- Max Collector Current
- 500mA
- Parça Durumu
- Active
- JESD-609 Kodu
- e3
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yayın Yılı
- 2015
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors