SMBJ51A-13-F

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

51V

Yayın Yılı

1999

Uzunluk

4.57mm

Peak Pulse Current

7.3A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Breakdown Voltage

65.2V

Number Of Unidirectional Channels

1

Max Power Dissipation

600W

Reverse Breakdown Voltage

56.7V

Max Reverse Leakage Current

5μA

Applications

General Purpose

Temel Parça No

SMBJ51

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal

SMD/SMT

Genişlik

3.9mm

Additional Feature

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY

Leakage Current

5μA

Max Surge Current

7.3A

Polarity

Unidirectional

Kurşunsuz Kodu

no

Tip

Zener

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Peak Pulse Power

600W

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Clamping Voltage

82.4V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Working Voltage

51V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Yükseklik

2.62mm

Pin Sayısı

2

Test Current

1mA

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Reverse Standoff Voltage

51V

Diode Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Number Of Elements

1

Power Rating

600W