SB570-T

Teknik Özellikler

Uzunluk

9.5mm

Current Reverse Leakage Vr

500μA @ 70V

JESD-609 Kodu

e3

Peak Nonrepetitive Surge Current

150A

Average Rectified Current

5A

Montaj Tipi

Through Hole

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Forward Voltage

800mV

Case Connection

ISOLATED

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

70V

Applications

EFFICIENCY

Terminal Sayısı

2

ECCN Kodu

EAR99

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Formu

WIRE

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

DO-201AD, Axial

Number Of Phases

1

Genişlik

5.3mm

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2005

Kurşunsuz Kodu

no

Yükseklik

5.3mm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Peak Reverse Current

500μA

Diode Type

Schottky

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Max Reverse Voltage Dc

70V

Montaj

Through Hole

Weight

1.09999g

Parça Durumu

Obsolete

Diode Element Material

SILICON

Pin Sayısı

2

Pin Sayısı

2

Output Currentmax

5A

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS