SB550-T

Teknik Özellikler

Case Connection

ISOLATED

Forward Voltage

670mV

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

50V

Applications

EFFICIENCY

Current Reverse Leakage Vr

500μA @ 50V

Peak Nonrepetitive Surge Current

150A

Average Rectified Current

5A

Montaj Tipi

Through Hole

Uzunluk

9.5mm

Diode Type

Schottky

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Genişlik

5.3mm

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Output Currentmax

5A

Diode Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Max Reverse Voltage Dc

50V

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Forward Vf Max If

670mV @ 5A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2006

Yükseklik

5.3mm

Kurşunsuz Kodu

no

Peak Reverse Current

500μA

Kılıf / Paket

DO-201AD, Axial

Temel Parça No

SB550

Number Of Phases

1

Terminal Formu

WIRE

Max Forward Surge Current Ifsm

150A

Pin Sayısı

2