S1BB-13-F

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Capacitance Vr F

10pF @ 4V 1MHz

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Forward Surge Current Ifsm

30A

HTS Kodu

8541.10.00.80

Weight

92.986436mg

Pin Sayısı

2

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Peak Nonrepetitive Surge Current

30A

Kurşunsuz Kodu

no

Temel Parça No

S1B

Reverse Voltage

100V

Pin Sayısı

2

Voltage Forward Vf Max If

1.1V @ 1A

Terminal Pozisyonu

DUAL

Forward Current

1A

Recovery Time

1.8 μs

Voltage Rated Dc

100V

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Reverse Recovery Time

3 μs

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2009

Speed

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Diode Element Material

SILICON

Max Reverse Voltage Dc

100V

Max Junction Temperature Tj

150°C

Kılıf / Paket

DO-214AA, SMB

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Average Rectified Current

1A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Uzunluk

4.57mm

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

C BEND

Montaj Tipi

Surface Mount