MMST5551-7-F

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Power Max

200mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Yükseklik

1mm

Terminal

SMD/SMT

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Collector Emitter Voltage Vceo

160V

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Transistor Type

NPN

Hfemin

80

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Weight

6.010099mg

Yayın Yılı

2007

Frequency Transition

300MHz

Pin Sayısı

3

Frekans

300MHz

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Reach Svhc

No SVHC

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

160V

Max Collector Current

200mA

Power Dissipation

200mW

Polarity

NPN

Tedarikçi Cihaz Paketi

SOT-323

Temel Parça No

MMST5551

Uzunluk

2.2mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Genişlik

1.35mm

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

160V