MMST3906-7-F

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation

200mW

Transition Frequency

300MHz

Max Collector Current

200mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

2.2mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Genişlik

1.35mm

Temel Parça No

MMST3906

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

-40V

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Contact Plating

Tin

Gain Bandwidth Product

300MHz

Turn On Timemax Ton

70ns

Terminal Pozisyonu

DUAL

Continuous Collector Current

-200mA

Collectoremitter Saturation Voltage

-300mV

Max Power Dissipation

200mW

Max Breakdown Voltage

40V

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Terminal Sayısı

3

Akım Değeri

-200mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 1V

Yükseklik

1mm

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

PNP

Hfemin

100

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant