MMDTA42-7-F

Teknik Özellikler

Transition Frequency

50MHz

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Number Of Elements

2

Collector Emitter Voltage Vceo

300V

Max Power Dissipation

300mW

Reach Svhc

No SVHC

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 30mA 10V

Transistor Application

SWITCHING

Max Breakdown Voltage

300V

Gain Bandwidth Product

50MHz

Element Configuration

Dual

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Yükseklik

1.1mm

Pin Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

300V

Hfemin

25

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

JESD-609 Kodu

e3

Uzunluk

3mm

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Frekans

50MHz

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2007

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Terminal Formu

GULL WING

Max Collector Current

500mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

yes

Weight

29.993795mg

Polarity

NPN

Parça Durumu

Active

Montaj

Surface Mount

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO