MMDT5451-7

Teknik Özellikler

Uzunluk

2.2mm

Akım Değeri

200mA

Transistor Type

NPN, PNP

Yayın Yılı

2007

Voltage Rated Dc

160V

Max Power Dissipation

200mW

Max Breakdown Voltage

150V

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Hfemin

60

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

160V 150V

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Genişlik

1.35mm

Temel Parça No

MMDT5451

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Weight

6.010099mg

Polarity

NPN, PNP

JESD-609 Kodu

e3

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transition Frequency

100MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Number Of Elements

2

Reach Svhc

No SVHC

Continuous Collector Current

-200mA

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V / 60 @ 10mA 5V

Gain Bandwidth Product

300MHz

Element Configuration

Dual

Collectoremitter Breakdown Voltage

150V

Yükseklik

1mm

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363