MMDT4124-7

Teknik Özellikler

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Yayın Yılı

2003

Voltage Rated Dc

25V

Akım Değeri

200mA

Uzunluk

2.2mm

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Hfemin

120

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn85Pb15)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Breakdown Voltage

25V

Max Power Dissipation

200mW

Genişlik

1.35mm

Temel Parça No

MMDT4124

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Polarity

NPN

Weight

6.010099mg

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e0

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Element Configuration

Dual

Gain Bandwidth Product

300MHz

Pin Sayısı

6

Yükseklik

1mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

25V

Number Of Elements

2

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Transition Frequency

300MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 2mA 1V

Continuous Collector Current

200mA

Transistor Application

SWITCHING

Reach Svhc

No SVHC

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Ambalaj

Tape & Reel (TR)