MMDT3946-7

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN, PNP

Yayın Yılı

2007

Voltage Rated Dc

40V

Akım Değeri

200mA

Uzunluk

2.2mm

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn85Pb15)

Hfemin

100

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Breakdown Voltage

40V

Max Power Dissipation

200mW

Genişlik

1.35mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Temel Parça No

MMDT3946

Turn On Timemax Ton

70ns

Turn Off Timemax Toff

250ns

Polarity

NPN, PNP

Weight

6.010099mg

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e0

Collectoremitter Saturation Voltage

300mV

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Element Configuration

Dual

Gain Bandwidth Product

300MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Yükseklik

1mm

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Number Of Elements

2

Transition Frequency

300MHz

Continuous Collector Current

200mA

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 1V

Reach Svhc

No SVHC

Emitter Base Voltage Vebo

6V