MMDT3906V-7

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

150mW

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 1V

Transition Frequency

250MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Number Of Elements

2

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Yükseklik

600μm

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Hfemin

60

Gain Bandwidth Product

250MHz

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Element Configuration

Dual

Uzunluk

1.6mm

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2005

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Frekans

250MHz

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Max Collector Current

200mA

Terminal Formu

FLAT

Kurşunsuz

Lead Free

Weight

3.005049mg

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Active

Polarity

PNP

Turn Off Timemax Toff

300ns

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Turn On Timemax Ton

70ns