MMDT2227-7

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN, PNP

Voltage Rated Dc

40V

Yayın Yılı

2005

Uzunluk

2.2mm

Akım Değeri

600mA

Collector Base Voltage Vcbo

75V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn85Pb15)

Hfemin

100

Max Power Dissipation

200mW

Max Breakdown Voltage

60V

Genişlik

1.35mm

Temel Parça No

MMDT2227

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

40V 60V

Current Collector Cutoff Max

10nA ICBO

Turn On Timemax Ton

35ns

Weight

6.010099mg

Polarity

NPN, PNP

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

JESD-609 Kodu

e0

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA

Gain Bandwidth Product

300MHz

Element Configuration

Dual

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Pin Sayısı

6

Yükseklik

1mm

Transition Frequency

300MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

1V

Number Of Elements

2

Reach Svhc

No SVHC

Continuous Collector Current

600mA

Transistor Application

SWITCHING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 150mA 10V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363