MMDT2222A-7-F

Teknik Özellikler

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Voltage Rated Dc

40V

Yayın Yılı

2003

Akım Değeri

600mA

Uzunluk

2.2mm

Collector Base Voltage Vcbo

75V

Hfemin

100

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Breakdown Voltage

40V

Max Power Dissipation

200mW

Genişlik

1.35mm

Terminal

SMD/SMT

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

MMDT2222A

Turn On Timemax Ton

35ns

Current Collector Cutoff Max

10nA ICBO

Polarity

NPN

Kurşunsuz Kodu

yes

Weight

6.010099mg

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Frekans

300MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 50mA, 500mA

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Element Configuration

Dual

Gain Bandwidth Product

300MHz

Pin Sayısı

6

Yükseklik

1mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Number Of Elements

2

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Transition Frequency

300MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 150mA 10V

Continuous Collector Current

600mA