Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 3
- Parça Durumu
- Active
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 25V
- Transition Frequency
- 650MHz
- Voltage Rated Dc
- 25V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Gain Bandwidth Product
- 650MHz
- Pin Sayısı
- 3
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- MMBTH10
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Power Dissipation
- 300mW
- Polaritychannel Type
- NPN
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Max Collector Current
- 50mA
- Collectorbase Capacitancemax
- 0.7pF
- Yükseklik
- 1mm
- Hfemin
- 60
- Element Configuration
- Single
- Reach Svhc
- No SVHC
- Terminal Sayısı
- 3
- Frekans
- 650MHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Collector Base Voltage Vcbo
- 30V
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Uzunluk
- 3.05mm
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Terminal Formu
- GULL WING
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- JESD-609 Kodu
- e3
- Max Power Dissipation
- 300mW
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors