MMBTA05-7-F

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 100mA 1V

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Akım Değeri

100mA

Weight

7.994566mg

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Max Breakdown Voltage

60V

Current Collector Cutoff Max

100nA

Continuous Collector Current

500mA

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Yayın Yılı

2017

Genişlik

1.4mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

300mW

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Uzunluk

3.05mm

Emitter Base Voltage Vebo

4V

Transistor Application

SWITCHING

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Frekans

100MHz

Element Configuration

Single

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

100

Yükseklik

1mm

Max Collector Current

500mA

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Polaritychannel Type

NPN

Seri

Automotive, AEC-Q101

Power Dissipation

350mW