MMBT6427-7-F

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Transistor Application

SWITCHING

Emitter Base Voltage Vebo

12V

Uzunluk

3.05mm

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Number Of Elements

1

Polarity

NPN

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

300mW

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Genişlik

1.4mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2008

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Current Collector Cutoff Max

1μA

Max Breakdown Voltage

40V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2V

Weight

7.994566mg

Akım Değeri

500mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20000 @ 100mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 500μA, 500mA

Transistor Type

NPN - Darlington

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Voltage Rated Dc

40V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MMBT6427