MJD350-13

Teknik Özellikler

Transistor Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

3V

Polaritychannel Type

PNP

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

100μA ICBO

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

300V

Power Max

15W

ECCN Kodu

EAR99

Uzunluk

6.8mm

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1.56W

Genişlik

6.2mm

Max Collector Current

500mA

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

300V

JESD-609 Kodu

e3

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 50mA 10V

Weight

260.39037mg

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

300V

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2008

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yükseklik

2.4mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING