MBR730

Teknik Özellikler

Diode Element Material

SILICON

Max Forward Surge Current Ifsm

150A

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Uzunluk

10.4mm

Forward Current

7.5A

Weight

6.000006g

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Average Rectified Current

7.5A

Terminal Sayısı

2

Yükseklik

8.89mm

Genişlik

4.82mm

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Ambalaj

Tube

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Additional Feature

LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE

Case Connection

CATHODE

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Diode Type

Schottky

Capacitance Vr F

400pF @ 4V 1MHz

Voltage Forward Vf Max If

840mV @ 15A

Montaj

Through Hole

Peak Nonrepetitive Surge Current

150A

ECCN Kodu

EAR99

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Peak Reverse Current

100μA

Forward Voltage

840mV

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2005

Pin Sayısı

2

Max Reverse Voltage Dc

30V

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz Kodu

no

Current Reverse Leakage Vr

100μA @ 30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)