IMX8-7-F

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Weight

29.993795mg

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Kılıf / Paket

SOT-23-6

Akım Değeri

50mA

Transistor Element Material

SILICON

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 2mA 6V

Max Power Dissipation

300mW

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

300mW

Transistor Type

2 NPN (Dual)

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

140MHz

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2007

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Polarity

NPN

Element Configuration

Dual

Hfemin

180

Max Collector Current

50mA

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Gain Bandwidth Product

140MHz

Max Breakdown Voltage

120V

Terminal Sayısı

6

Uzunluk

3mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yükseklik

1.1mm

Genişlik

1.6mm

Voltage Rated Dc

120V

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Terminal Formu

GULL WING