IMT4-7-F

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Frekans

140MHz

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Dual

Transition Frequency

140MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 2mA 6V

Collector Emitter Voltage Vceo

120V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Genişlik

1.6mm

Polarity

PNP

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 1mA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Weight

29.993795mg

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Uzunluk

3mm

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

MT4

Hfemin

180

Power Dissipation

225mW

Kılıf / Paket

SOT-23-6

Max Power Dissipation

225mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1.1mm

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

50mA

Number Of Elements

2

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Montaj

Surface Mount

Parça Durumu

Obsolete

Gain Bandwidth Product

140MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V