DXT2222A-13

Teknik Özellikler

Uzunluk

4.5mm

Transistor Type

NPN

Yayın Yılı

2007

Max Breakdown Voltage

40V

Max Power Dissipation

1W

Collector Base Voltage Vcbo

75V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

10nA ICBO

Genişlik

2.48mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

DXT2222A

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Weight

51.993025mg

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 50mA, 500mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Frekans

300MHz

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Transition Frequency

300MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 150mA 10V

Transistor Application

SWITCHING

Reach Svhc

No SVHC

Element Configuration

Single

Gain Bandwidth Product

300MHz

Terminal Pozisyonu

DUAL

Case Connection

COLLECTOR

Pin Sayısı

4

Yükseklik

1.5mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Montaj

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Power Dissipation

1W