DXT2012P5-13

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Frekans

120MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500mA, 5A

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

5

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Gain Bandwidth Product

120MHz

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Reach Svhc

No SVHC

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 2A 1V

Continuous Collector Current

-5.5A

Transistor Application

SWITCHING

Transition Frequency

120MHz

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

PowerDI™ 5

Power Dissipation

3.2W

Emitter Base Voltage Vebo

-7V

Montaj

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Polaritychannel Type

PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

4

Terminal Formu

FLAT

Max Collector Current

5.5A

Yayın Yılı

2012

Transistor Type

PNP

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Max Power Dissipation

3.2W

Max Breakdown Voltage

60V