DST857BDJ-7

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Montaj

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Max Power Dissipation

300mW

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Pin Sayısı

6

Transition Frequency

340MHz

Temel Parça No

DST857BD

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Power Dissipation

300mW

Polarity

PNP

Terminal Formu

FLAT

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

SOT-963

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Continuous Collector Current

-100mA

Yayın Yılı

2012

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 100mA

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Dual

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Max Breakdown Voltage

45V

Max Collector Current

100mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Gain Bandwidth Product

340MHz

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

yes

Emitter Base Voltage Vebo

-5V