DST847BDJ-7

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2012

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Kılıf / Paket

SOT-963

Continuous Collector Current

100mA

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Polarity

NPN

Terminal Formu

FLAT

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

170MHz

Temel Parça No

DST847BD

Pin Sayısı

6

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Saturation Voltage

300mV

Max Power Dissipation

300mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Number Of Elements

2

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Reach Svhc

No SVHC

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

yes

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Gain Bandwidth Product

170MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Base Voltage Vcbo

50V