Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Breakdown Voltage
- 60V
- Frequency Transition
- 220MHz
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Transition Frequency
- 220MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Polaritychannel Type
- NPN
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- Max Power Dissipation
- 700mW
- Yayın Yılı
- 2013
- Terminal Sayısı
- 6
- Terminal Formu
- GULL WING
- Parça Durumu
- Active
- Number Of Elements
- 2
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 1A 5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Collector Base Voltage Vcbo
- 80V
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Power Max
- 700mW
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj
- Surface Mount
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- JESD-609 Kodu
- e3
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Collector Current
- 1A
- Pin Sayısı
- 6
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 100mA, 1A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors