DP0150BDJ-7

Teknik Özellikler

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Discontinued

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Power Max

300mW

Element Configuration

Dual

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Polarity

PNP

Max Power Dissipation

300mW

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Sayısı

6

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 6V

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

1mm

Genişlik

800μm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yükseklik

450μm

Max Breakdown Voltage

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Gain Bandwidth Product

80MHz

Kılıf / Paket

SOT-963

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

80MHz

Pin Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

FLAT

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Yayın Yılı

2009

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes