Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 300mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 10mA, 100mA
- Terminal Formu
- FLAT
- Montaj
- Surface Mount
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pin Sayısı
- 6
- JESD-609 Kodu
- e3
- Transition Frequency
- 80MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- DP0150AD
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2009
- Frekans
- 80MHz
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Reach Svhc
- No SVHC
- Element Configuration
- Dual
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Polarity
- PNP
- Max Collector Current
- 100mA
- Parça Durumu
- Active
- Number Of Elements
- 2
- Pin Sayısı
- 6
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Gain Bandwidth Product
- 80MHz
- Kılıf / Paket
- SOT-963
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Max Power Dissipation
- 300mW
- Uzunluk
- 1mm
- Transistor Element Material
- SILICON
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 2mA 6V
- Terminal Sayısı
- 6
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors