DP0150ADJ-7

Teknik Özellikler

Power Dissipation

300mW

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

80MHz

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

DP0150AD

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2009

Frekans

80MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Element Configuration

Dual

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Polarity

PNP

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Max Breakdown Voltage

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Gain Bandwidth Product

80MHz

Kılıf / Paket

SOT-963

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Power Dissipation

300mW

Uzunluk

1mm

Transistor Element Material

SILICON

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 2mA 6V

Terminal Sayısı

6