DNLS350E-13

Teknik Özellikler

Transition Frequency

100MHz

Yükseklik

1.6mm

Case Connection

COLLECTOR

Element Configuration

Single

Gain Bandwidth Product

100MHz

Uzunluk

6.5mm

Collectoremitter Saturation Voltage

290mV

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 2A 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

290mV @ 200mA, 2A

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

4

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2008

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Weight

7.994566mg

Terminal Sayısı

4

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

1W

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Temel Parça No

DNLS350

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Genişlik

3.5mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

NPN

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Application

SWITCHING