DNLS160V-7

Teknik Özellikler

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Genişlik

1.2mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Frequency Transition

150MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Max Power Dissipation

300mW

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Max Collector Current

1A

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

NPN

Max Breakdown Voltage

60V

Pin Sayısı

6

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

NPN

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Current Collector Cutoff Max

100nA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

250 @ 1mA 5V

Power Dissipation

300mW

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Gain Bandwidth Product

270MHz

Uzunluk

1.6mm

Transition Frequency

270MHz

Yükseklik

600μm

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Formu

FLAT

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)