DN0150BLP4-7

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Transition Frequency

60MHz

Transistor Type

NPN

JESD-609 Kodu

e4

Element Configuration

Single

Case Connection

COLLECTOR

Kılıf / Paket

3-XFDFN

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Max Breakdown Voltage

50V

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 6V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yayın Yılı

2015

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Gain Bandwidth Product

60MHz

Reach Svhc

No SVHC

Radyasyon Dayanımı

No

Polaritychannel Type

NPN

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Uzunluk

1mm

Max Power Dissipation

450mW

Genişlik

600μm

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Power Max

450mW

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO