DMN65D8LDW-7

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj

Surface Mount

Turn Off Delay Time

12 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Feature

Logic Level Gate

Drain Currentmax Abs Id

0.15A

Yayın Yılı

2013

Rds On Max Id Vgs

6 Ω @ 115mA, 10V

Terminal Sayısı

6

Max Junction Temperature Tj

150°C

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Yükseklik

1.1mm

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

6

Uzunluk

2.2mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Terminal Formu

GULL WING

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Contact Plating

Tin

Temel Parça No

DMN65D8LDW

Pin Sayısı

6

Fall Time Typ

6.3 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Turn On Delay Time

3.3 ns

Reach Svhc

No SVHC

Input Capacitance Ciss Max Vds

22pF @ 25V

Direnç

6Ohm

Rise Time

3.2ns