DMN5L06V-7

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

6

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Terminal Formu

FLAT

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Number Of Channels

2

Drain To Source Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

2

Max Power Dissipation

150mW

Drain To Source Voltage Vdss

50V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Weight

3.005049mg

Feedback Capmax Crss

5 pF

Continuous Drain Current Id

280mA

Drainsource On Resistancemax

3Ohm

Uzunluk

1.6mm

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Element Configuration

Dual

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

6

Genişlik

1.2mm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yükseklik

600μm

Additional Feature

LOW CAPACITANCE

Terminal Sayısı

6

Rds On Max Id Vgs

3 Ω @ 200mA, 2.7V

Input Capacitance Ciss Max Vds

50pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2007

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)