DMN5010VAK-7

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Dual

Drainsource On Resistancemax

3Ohm

Uzunluk

1.6mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Genişlik

1.2mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Weight

3.005049mg

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Continuous Drain Current Id

280mA

Feedback Capmax Crss

5 pF

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drain To Source Voltage Vdss

50V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

250mW

Drain To Source Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

2

Max Power Dissipation

250mW

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Pin Sayısı

6

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Terminal Formu

FLAT

JESD-609 Kodu

e3

Qualification Status

Not Qualified

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Fet Feature

Logic Level Gate

Reach Svhc

No SVHC

Input Capacitance Ciss Max Vds

50pF @ 25V

Rds On Max Id Vgs

2 Ω @ 50mA, 5V

Terminal Sayısı

6

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2012

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Montaj Tipi

Surface Mount