DMN32D2LV-7

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Weight

3.005049mg

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Continuous Drain Current Id

400mA

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Uzunluk

1.6mm

Genişlik

1.2mm

Temel Parça No

DMN32D2LV

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

FLAT

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Max Power Dissipation

400mW

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Number Of Channels

2

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Drain Currentmax Abs Id

0.4A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Fet Feature

Logic Level Gate

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

600μm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Input Capacitance Ciss Max Vds

39pF @ 3V

Rds On Max Id Vgs

1.2 Ω @ 100mA, 4V