DMN3190LDW-13

Teknik Özellikler

Turn On Delay Time

4.5 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2013

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Rise Time

8.9ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

87pF @ 20V

Rds On Max Id Vgs

190m Ω @ 1.3A, 10V

Terminal Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yükseklik

1mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Turn Off Delay Time

30.3 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Feature

Logic Level Gate

Drain Currentmax Abs Id

1A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Fall Time Typ

15.6 ns

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Max Power Dissipation

320mW

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

6

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Vgsth Max Id

2.8V @ 250μA

Gate Charge Qg Max Vgs

2nC @ 10V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Genişlik

1.35mm

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active