DMN2040LTS-13

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

3.1mm

Uzunluk

4.5mm

Power Dissipation

890mW

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Turn On Delay Time

5.2 ns

Yayın Yılı

2009

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

6.1 ns

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Weight

157.991892mg

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Fet Type

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Radyasyon Dayanımı

No

Additional Feature

LOW THERSHOLD

Yükseklik

1.025mm

Kılıf / Paket

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Reach Svhc

No SVHC

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Current Continuous Drain Id25

6.7A Ta

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fet Feature

Standard

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

13.5ns

Pin Sayısı

8

Input Capacitance Ciss Max Vds

570pF @ 10V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Continuous Drain Current Id

6.7A

Gate Charge Qg Max Vgs

5.2nC @ 4.5V

Seri

Automotive, AEC-Q101

Pin Sayısı

8

Terminal Sayısı

8