DMN2029USD-13

Teknik Özellikler

Uzunluk

4.95mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Genişlik

3.95mm

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2013

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Feature

Logic Level Gate

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Turn On Delay Time

16.5 ns

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Input Capacitance Ciss Max Vds

1171pF @ 10V

Rise Time

33.3ns

Drainsource On Resistancemax

0.025Ohm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

53.5 ns

Continuous Drain Current Id

5.8A

Fabrika Tedarik Süresi

23 Weeks

Reference Standard

AEC-Q101

Terminal Sayısı

8

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Terminal Formu

GULL WING

Gate Charge Qg Max Vgs

18.6nC @ 8V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Pin Sayısı

8

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Radyasyon Dayanımı

No

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

Yükseklik

1.5mm

Additional Feature

HIGH RELIABILITY