DMN2005DLP4K-7

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Terminal Sayısı

6

Temel Parça No

DMN2005DLP4K

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

JESD-609 Kodu

e4

Reach Svhc

No SVHC

Max Power Dissipation

400mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

6-XFDFN Exposed Pad

Montaj Tipi

Surface Mount

Yükseklik

350μm

Parça Durumu

Active

Rds On Max Id Vgs

1.5 Ω @ 10mA, 4V

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

900mV @ 100μA

Yayın Yılı

2012

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Fet Feature

Standard

Power Dissipation

400mW

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

1.3mm

Genişlik

1mm

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Transistor Application

SWITCHING

Element Configuration

Dual

Continuous Drain Current Id

300mA

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2