DMN1006UCA6-7

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Input Capacitance Ciss Max Vds

2360pF @ 6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drainsource On Resistancemax

0.011Ohm

Vgsth Max Id

1.3V @ 1mA

Fet Feature

Standard

Yayın Yılı

2017

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

R-PBGA-B6

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e4

Kılıf / Paket

6-SMD, No Lead

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Max

2.4W

Configuration

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Terminal Formu

BALL

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Gate Charge Qg Max Vgs

35.2nC @ 4.5V

Yüzey Montaj

YES