DMMT5551-7-F

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Frekans

300MHz

Voltage Rated Dc

180V

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Breakdown Voltage

160V

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Temel Parça No

DMMT5551

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Transistor Type

2 NPN (Dual) Matched Pair

Terminal Formu

GULL WING

Max Power Dissipation

300mW

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

Transition Frequency

100MHz

Power Dissipation

300mW

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2007

Transistor Application

SWITCHING

Gain Bandwidth Product

300MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

1.6mm

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Uzunluk

3mm

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Weight

29.993795mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

200mA