DMG4932LSD-13

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

8

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Rds On Max Id Vgs

15m Ω @ 9A, 10V

Terminal Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Power Dissipation

1.19W

Fet Feature

Logic Level Gate

Continuous Drain Current Id

9.5A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Gate Charge Qg Max Vgs

42nC @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

2.4V @ 250μA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Power Dissipation

1.19W

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Weight

73.992255mg

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Montaj Tipi

Surface Mount

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pulsed Drain Currentmax Idm

40A

Reach Svhc

No SVHC

Number Of Channels

1

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2010

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks