DMG1026UV-7

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

1.8V @ 250μA

Yükseklik

600μm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Feature

Logic Level Gate

Max Power Dissipation

580mW

Kurşunsuz

Lead Free

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Pin Sayısı

6

Rds On Max Id Vgs

1.8 Ω @ 500mA, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

0.45nC @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

32pF @ 25V

Yayın Yılı

2012

Uzunluk

1.7mm

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Turn Off Delay Time

26.4 ns

Transistor Element Material

SILICON

Genişlik

1.25mm

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Rise Time

3.4ns

Element Configuration

Dual

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Power Dissipation

6.5W

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Continuous Drain Current Id

410mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

6

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fall Time Typ

16.3 ns

JESD-609 Kodu

e3

Drain Currentmax Abs Id

0.38A