DMC3018LSD-13

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Input Capacitance Ciss Max Vds

631pF @ 15V

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

12.4nC @ 10V

Fet Type

N and P-Channel

Drain Currentmax Abs Id

9.1A

Continuous Drain Current Id

6A

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz Kodu

yes

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Montaj Tipi

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yükseklik

1.5mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max Id Vgs

20m Ω @ 6.9A, 10V

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Power Dissipation

2.5W

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Continuous Drain Id25

9.1A 6A

Genişlik

4.1mm

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Obsolete

Fet Feature

Logic Level Gate

Ds Breakdown Voltagemin

30V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2011

Radyasyon Dayanımı

No

Power Dissipation

2.5W

Fabrika Tedarik Süresi

21 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Weight

850.995985mg