DGD2181MS8-13

Teknik Özellikler

Gate Type

IGBT, N-Channel MOSFET

Rise Fall Time Typ

40ns 20ns

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Current Peak Output Source Sink

1.9A 2.3A

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Giriş Tipi

Non-Inverting

Besleme Gerilimi

10V~20V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Logic Voltagevil Vih

0.8V 2.5V

JESD-609 Kodu

e3

Channel Type

Independent

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

High Side Voltage Max Bootstrap

600V

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Driver Configuration

Half-Bridge

Number Of Drivers

2

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)