DDTD113ZC-7-F

Teknik Özellikler

Uzunluk

3.05mm

Resistor Base R1

1 k Ω

Yayın Yılı

2005

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Max Power Dissipation

200mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Breakdown Voltage

50V

Hfemin

56

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

HTS Kodu

8541.21.00.75

Temel Parça No

DTD113

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Genişlik

1.4mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Weight

7.994566mg

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 50mA 5V

Continuous Collector Current

500mA

Transition Frequency

200MHz

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Pin Sayısı

3

Yükseklik

1mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount