DDTC115GE-7

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2007

Voltage Rated Dc

50V

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Uzunluk

1.6mm

Akım Değeri

100mA

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Hfemin

82

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn85Pb15)

Max Power Dissipation

150mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

DDTC115

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Genişlik

800μm

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS Kodu

8541.21.00.75

Weight

2.012816mg

Polarity

NPN

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

JESD-609 Kodu

e0

Pin Sayısı

3

Yükseklik

750μm

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

82 @ 5mA 5V

Continuous Collector Current

100mA

Transition Frequency

250MHz

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

SOT-523