DDTC115ECA-7-F

Teknik Özellikler

Resistor Base R1

100 k Ω

Max Output Current

100mA

Akım Değeri

100mA

Uzunluk

3.05mm

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Yayın Yılı

2008

Voltage Rated Dc

50V

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

200mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Hfemin

82

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

HTS Kodu

8541.21.00.75

Operating Supply Voltage

50V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Current Collector Cutoff Max

500nA

Genişlik

1.4mm

Temel Parça No

DDTC115

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

NPN

Weight

7.994566mg

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Transition Frequency

250MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

82 @ 5mA 5V

Continuous Collector Current

100mA

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

3

Yükseklik

1mm