DDTC114YLP-7

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Number Of Elements

1

Transition Frequency

250MHz

Continuous Collector Current

100mA

Max Breakdown Voltage

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 50mA 5V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

250mW

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Case Connection

COLLECTOR

Hfemin

50

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

3

Yükseklik

470μm

JESD-609 Kodu

e4

Resistor Base R1

10 k Ω

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Uzunluk

1mm

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Polarity

NPN

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kurşunsuz Kodu

yes

Frequency Transition

250MHz

Montaj

Surface Mount

Additional Feature

HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

Current Collector Cutoff Max

500nA