DDTC114YE-7-F

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

50V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

150mW

Hfemin

68

Akım Değeri

100mA

Uzunluk

1.6mm

Resistor Base R1

10 k Ω

Voltage Rated Dc

50V

Yayın Yılı

2006

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polarity

NPN

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kurşunsuz Kodu

yes

Weight

2.012816mg

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

Current Collector Cutoff Max

500nA

HTS Kodu

8541.21.00.75

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

DDTC114

Genişlik

800μm

Continuous Collector Current

100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Fabrika Tedarik Süresi

15 Weeks

Number Of Elements

1

Transition Frequency

250MHz

Contact Plating

Tin

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

3

Yükseklik

750μm

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No